作品总结
《使用全区域 MOSFET 建模的 CMOS 模拟设计》
《使用全区域 MOSFET 建模的 CMOS 模拟设计》本书涵盖了模拟电路设计的基本要素，采用了一种独特的设计方法，该方法基于适用于所有工作区域的 MOSFET 模型，而不是标准的平方律模型。 开篇章节侧重于器件建模、集成电路技术和布局，而后面的章节继续介绍噪声和失配，以及模拟电路基本构建模块的分析和设计，例如电流镜、电压基准、电压放大器和 运算放大器。 还介绍了连续时间滤波器，以及采样数据电路的基本原理，尤其是开关电容电路。 最后一章回顾了 MOSFET 模型并描述了提取设计参数的技术。 还包括大量设计示例和练习，非常适合参加模拟 CMOS 设计课程的学生以及需要缩短设计周期的电路设计人员。
客服咨询
400 093 7005
周一至周日：09:00AM-21:00PM
微信扫码关注
小程序扫码注册
0条评论