作品总结
《III-V 半导体量子结构中的能带和光子》
《III-V 半导体量子结构中的能带和光子》，半导体量子结构是许多光子器件（如激光器、光电探测器、太阳能电池等）的核心。要了解它们为何如此适合这些器件，我们必须了解它们能带结构的基本特征以及它们如何与入射光相互作用光。过去许多书籍都承担了这项任务，但它们的处理方式要么从文献中提取结果并将其呈现为公认的真理，要么依赖于
不切实际的简单模型。
III-V 半导体量子结构中的能带和光子带读者了解 III-V 半导体的基础知识（量子力学和电磁学方面的一些准备工作很有帮助），并展示了看似晦涩难懂的结果，例如哈密顿量的详细形式、光跃迁强度, 重组机制随之而来。读者无需查阅其他参考资料即可完全理解该材料，尽管为那些
想进一步加深他们的知识。指出了与石墨烯和过渡金属二硫化物等新型材料特性的联系，以帮助读者为在这些领域的研究前沿做出贡献做好准备。
本书还提供了一个完整的、最新的用于计算的波段参数数据库，以及合金的光学常数表和插值方案。在这些基础上，本书继续使用从头开始构建所有概念的相同原理推导光子半导体器件的特性（重点关注中红外），详细解释所有推导，给出定量示例，并布局维度论据,只要能帮助读者理解。
客服咨询
400 093 7005
周一至周日：09:00AM-21:00PM
微信扫码关注
小程序扫码注册
0条评论