作品总结
《SiC功率模块设计：性能、鲁棒性和可靠性》
《SiC功率模块设计：性能、鲁棒性和可靠性》，高频开关功率半导体器件是电力电子变换器的核心。迄今为止，这些设备一直由成熟的硅（Si）技术主导。然而，它们固有的物理限制正成为实现更高性能功率转换的障碍。宽带隙（WBG）半导体器件具有更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和/或更长的寿命。电网电子学和电动汽车的应用正在增加，但如果应用要变得更广泛，就需要克服一些技术瓶颈，尤其是包装。本书描述了新型WBG半导体，特别是碳化硅（SiC）功率MOSFET的先进多芯片封装解决方案的开发。
报道包括介绍；多芯片电源模块；模块设计和向碳化硅技术的转移；电热、热力、统计和电磁方面的优化模块设计；耐高温碳化硅功率模块；验证技术；降解监测；以及新兴的包装技术。这本书对学术界和工业界的研究人员和专家来说是一本有价值的参考书。
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