作品总结
《电力电子用宽带隙半导体：材料、器件和应用》
《电力电子用宽带隙半导体：材料、器件和应用》，宽带隙半导体功率器件：材料，物理，设计和应用为读者提供了一个单一的资源，为什么这些器件优于现有的硅器件。这本书为理解一系列应用和节能方面的预期效益奠定了基础。B.Jayant Baliga博士是北卡罗来纳州立大学功率半导体研究中心的创始人（也是IGBT器件的创造者），他是该领域最受尊敬的专家之一。因此，他领导这个团队，全面审查所讨论的材料、器件物理、设计考虑和相关应用。客服咨询
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