《用于硅和GaN功率晶体管的高度集成的栅极驱动器》

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日期:2022-05-31

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作品总结

《用于硅和GaN功率晶体管的高度集成的栅极驱动器》


本书探讨了集成栅极驱动器,重点是新型氮化镓(GaN)功率晶体管,这些晶体管具有快速开关和最小的开关损耗。它作为栅极驱动器IC设计的全面、多合一的参考资源,以手册风格编写,并附有系统指南。作者涵盖了从基本原理到实现细节的整个范围,包括功率级,各种栅极驱动器(谐振,非谐振,电流源,电压源),栅极驱动方案,驱动器电源,栅极环路,栅极驱动器功率效率以及硅与GaN晶体管的比较等主题。在系统和电路级别上介绍了高度集成的栅极驱动器的解决方案。本书覆盖的范围包括通过将子功能集成到IC(缓冲电容器)上而实现的小型化,以及通过多电平方法实现更高效的开关,这也提高了开关转换速度极快时的鲁棒性。讨论还包括在高度相关的情况下鲁棒操作的概念,即栅极驱动器放置在与功率晶体管的距离上。所有结果都广泛适用于实现高度紧凑,节能和高性价比的电力电子解决方案。

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