作品总结
《用于电路分析和设计的 Mosfet 建模》
这是第一本专门介绍下一代 MOSFET 模型建模的书籍。本书针对电路设计人员进行了深入的处理，吸引了器件专家，呈现了紧凑建模的全新视角，完全放弃了区域建模方法。本文概述了构建紧凑型MOSFET模型所需的基本物理理论，并统一处理了反荷和表面电位模型，该模型考虑了数字、模拟和RF设计人员对电路设计简单方程可用性的需求。用于手部分析或自动合成的紧凑表达式在所有操作区域都有效，贯穿全书。新一代紧凑型模型中使用的所有计算机仿真主要表达式都派生出来了。由于先进技术的设计人员越来越关注波动，因此强烈强调波动的建模。本书介绍了空间（匹配）和时间（噪声）波动的统一方法。
客服咨询
400 093 7005
周一至周日：09:00AM-21:00PM
微信扫码关注
小程序扫码注册
0条评论