《高频MOSFET栅极驱动器：技术和应用》

本书介绍了高频功率MOSFET栅极驱动器技术，包括用于GaN HEMT的栅极驱动器，这些技术在下一代开关功率转换器中具有巨大潜力。栅极驱动器在控制和功率器件之间起着至关重要的作用。

近年来，开关电源转换器的开关频率有增加超过多MHz的趋势，以减少无源元件并显着提高功率密度。然而，这导致功率MOSFET中的高开关损耗和栅极驱动器损耗。本书中新颖的方法是提出的电流源栅极驱动器（CSD），包括不同的拓扑、控制和应用。与传统的电压栅极驱动器相比，CSD可以显著降低开关转换时间和开关损耗，并恢复高频栅极驱动器损耗。基本思想也可以扩展到其他功率器件，以提高高频开关性能，如SiC MOSFET和IGBT。本书涵盖的主题包括最先进的功率MOSFET驱动技术、开关损耗模型、电流源栅极驱动器（CSD）、谐振栅极驱动器、自适应栅极驱动器和GaN HEMT栅极驱动器。

这本书是设计工程师、研究人员和从事开关电源和电力电子学工作的高级学生的必备读物。