《SiC 电源模块设计：性能、稳健性和可靠性》

高频开关功率半导体器件是电力电子转换器的核心。迄今为止，这些器件一直由成熟的硅（Si）技术主导。然而，它们的固有物理限制正在成为实现更高性能功率转换的障碍。宽带隙（WBG）半导体器件具有更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和/或更长的使用寿命的潜力。电网电子和电动汽车中的应用正在上升，但如果应用变得更加广泛 - 特别是封装 - 则需要克服许多技术瓶颈。

本书介绍了为新型WBG半导体开发先进的多芯片封装解决方案，特别是碳化硅（SiC）功率MOSFET。

报道范围包括介绍;多芯片功率模块;模块设计并转移到SiC技术;最佳模块设计的电热、热机械、统计和电磁方面;耐高温碳化硅功率模块;验证技术;退化监测;和新兴的包装技术。这本书是学术界和工业界研究人员和专家的宝贵参考资源。