《碳化硅功率模块设计：性能、鲁棒性和可靠性》

《SiC Power Module Design: Performance, robustness and reliability》是一本介绍碳化硅（SiC）功率模块设计的专业著作。该书主要包括以下几个部分：

1. SiC材料的基础知识：介绍碳化硅材料的基本特性、结构和制备。

2. SiC功率器件的基础知识：介绍SiC功率器件的原理和特性，包括晶体管、二极管和MOSFET等。

3. SiC功率模块的设计方法：介绍SiC功率模块的设计流程和方法，包括元器件选型、电路布局、热管理和结构设计等。

4. SiC功率模块的性能测试和可靠性评估：介绍SiC功率模块的性能测试和可靠性评估方法，包括电性能测试、温度循环测试和可靠性模拟等。

5. SiC功率模块应用案例：介绍SiC功率模块在不同应用场景下的应用案例，包括电动汽车、风能、太阳能等。

读者可以通过阅读该书，学习到SiC功率模块的设计流程和方法，了解SiC材料和器件的特性和优缺点，掌握SiC功率模块的性能测试和可靠性评估方法，同时还能够学习到SiC功率模块在不同应用场景下的应用案例。这些知识和技能对于从事电力电子、电机控制、节能环保等相关领域的工程师、研究人员和教师都具有重要的参考价值。

高频开关功率半导体器件是电力电子转换器的核心。迄今为止，这些器件一直以成熟的硅（Si）技术为主。然而，它们的固有物理极限正在成为实现更高性能功率转换的障碍。宽带隙（WBG）半导体器件具有更高的效率、更小的尺寸、更轻的重量和/或更长的使用寿命的潜力。电网电子和电动汽车中的应用正在增加，但如果应用要变得更加广泛，尤其是封装技术，就需要克服许多技术瓶颈。

本书介绍了用于新型WBG半导体（特别是碳化硅（SiC）功率MOSFET）的先进多芯片封装解决方案的开发。

本书的覆盖范围包括介绍;多芯片功率模块;模块设计并转移到碳化硅技术;最佳模块设计的电热、热机械、统计和电磁方面;耐高温碳化硅功率模块;验证技术;退化监测;以及新兴的包装技术。本书对学术界和工业界的研究人员和专家来说都是一本有价值的参考书。