《碳化硅技术基础：增长、表征、器件和应用》

本书全面介绍和讲解最新SiC 功率半导体器件，涵盖从材料特性到应用的主题 

基于 1980 年代和 1990 年代 SiC 材料科学和制造技术取得的多项突破，第一款 SiC 肖特基势垒二极管 （SBD） 于 2001 年作为商业产品发布。从那时起，SiC SBD市场大幅增长，SBD现在用于各种电源系统，特别是开关模式电源和电机控制。SiC 功率 MOSFET 于 2011 年投入商业生产，为高频电源系统提供坚固耐用的高效开关。在这本内容广泛的书中，作者利用他们的丰富经验，介绍了SiC材料，器件和应用，并为在这个快速发展的领域工作的科学家和工程师提供了深入的参考。《碳化硅技术基础》涵盖SiC材料的基本性能，加工技术，实际器件的理论和分析，以及最重要的系统应用的概述。具体包括：

• 完整讨论SiC材料特性、块状晶体生长、外延生长、器件制造技术和表征技术。
• 肖特基二极管、引脚二极管、JBS/MPS 二极管、JFET、MOSFET、BJT、IGBT 和晶闸管的器件物理场和工作公式。
• 电力电子应用综述，包括开关模式电源、电机驱动器、电动汽车电源转换器和可再生能源转换器。
• 涵盖特殊应用，包括微波设备、高温电子设备和坚固耐用的传感器。
• 全文插图，由在SiC研发方面拥有超过45年综合经验的公认专家撰写。

本书面向晶体生长、材料科学和半导体器件技术领域的研究生和研究人员。本书对电源、转换器和逆变器设计、电动汽车技术、高温电子、传感器和智能电网技术等领域的设计工程师、应用工程师和产品经理也很有用。