《使用线性和非线性技术的微波电路设计》

《Microwave Circuit Design Using Linear and Nonlinear Techniques》

微波电路设计领域的四位领导者分享了他们对该技术最新方面的最新见解；

第三版《使用线性和非线性技术的微波电路设计》对微波电路设计进行了深入而完整的分析，从其固有特性和电路特性到最大限度地提高通信和雷达系统性能的电路设计技术。 这个新版本保留了这本著名书籍之前版本的相关内容，并添加了有关 CMOS 技术、GaN、SiC、频率范围和毫米级区域反馈功率放大器的全新内容。 第三版包含 200 多页新材料。

杰出的工程师、学者和作者强调电信领域的商业应用，涵盖晶体管技术的各个方面。 本书附带了用于设计和微波电路的软件工具。 除了有关小信号放大器和大信号放大器设计以及功率放大器设计的信息之外，读者还将受益于本书对各种主题的处理，例如：

·深入讨论射频和微波系统的基础，包括麦克斯韦方程、技术应用、模拟和数字要求以及基本定义；

对集总元件和分布式元件的处理，包括对集总元件寄生效应的讨论；

有源器件的描述，包括二极管、微波晶体管、异质结双极晶体管和微波FET；

双端口网络，包括来自 SPICE 分析的 S 参数和传导功率增益的推导；

《使用线性和非线性技术的微波电路设计》第三版非常适合微波集成电路设计人员，在电气工程研究人员和研究生的书架上也占有一席之地。 该领域的世界知名专家对晶体管的各个方面进行了全面的阐述，使本书处于微波电路设计研究的前沿。

本书第一版至今已过去大约 15 年，受到研究生院和工业界的好评。 虽然物理和数学的基本原理没有改变，但今天的技术为我们提供了巨大的机会来改进线性和非线性技术的电路设计。 此外，我们认为通过遵循系统概念及其在微波频率下的要求、展示集总元件和分布式元件之间的过渡以及新的令人兴奋的器件，特别是硅-锗晶体管和低功率器件，来简化本书是有用的。 成本更低的BiCMOS 技术，该技术与砷化镓竞争激烈，并且似乎在许多无线应用中获胜。 现代晶体管的截止频率超过 200 GHz，具有低噪声系数和低工作电压。 实用的振荡器现在可以达到 70 GHz。 对于更高功率的应用，砷化镓 FET 的功率超过 100 W，LDMOS 器件也可用于高达 3 GHz 的频率。 随着技术继续以非常快的速度改进，更低的噪声、更高的功率和更高的频率的未来看起来非常光明。 为了精简本书，我们现在单独提供一章来介绍双端口网络及其所有特性，然后再提供两章新的章节，一章介绍匹配网络，另一章详细介绍射频微波滤波器，包括用于蜂窝电话应用的硅基滤波器。 线性双端口章节中的噪声已通过显示与温度相关的噪声以及双极和 FET 噪声系数的详细推导进行了扩展。