作品总结
《碳化硅功率器件（Silicon carbide power devices）》
《碳化硅功率器件》
功率半导体器件广泛用于电能的控制和管理。 功率器件性能的提高使成本降低和效率提高，从而减少了化石燃料的使用和环境污染。 本书首次全面介绍了碳化硅功率器件的物理和设计，重点介绍了单极结构。 它使用大量数值模拟的结果来阐明这些重要设备的工作原理。
内容：材料特性与技术； 击穿电压; PiN整流器； 肖特基整流器； 屏蔽肖特基整流器； 金属半导体场效应晶体管； Baliga-Pair 配置； 平面功率 MOSFET； 屏蔽平面 MOSFET； 沟槽栅极功率 MOSFET； 屏蔽 Trendch-Gate MOSFET； 电荷耦合结构； 积分二极管； 横向高压 FET等的概要讲述。
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