作品总结
《氮化镓功率器件（Gallium nitride power devices）》
《氮化镓功率器件》，由于其独特的材料特性，例如带隙、高击穿场和高电子迁移率，GaN 被认为是下一代功率器件应用中最有前途的候选材料。因此，包括美国、欧盟、日本和中国在内的许多国家都将GaN功率器件技术列为优先发展的领域。
本书全面概述了GaN功率器件技术，例如材料生长、特性分析、器件结构设计、制造工艺、可靠性、故障分析和封装。它为从事 GaN 功率器件研究的学术和相关行业的学生和研究人员提供了有用的信息。
GaN 晶圆生长技术来自 Enkris Semiconductor，该公司目前是商用 GaN 晶圆的领先企业之一。第 3 章和第 7 章关于 GaN 晶体管制造工艺和 GaN 垂直功率器件，由从事 GaN 器件研究十多年的刘志红博士主编。第2章和第5章，极化效应的特性和AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的原始演示，由西南交通大学的研究人员撰写。第 6、8、9 章关于表面钝化、可靠性和封装技术，由中国南方科技大学的一组研究人员编辑。
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