作品总结
《垂直 GaN 和 SiC 功率器件》
《垂直 GaN 和 SiC 功率器件》这一独特的新资源使用真实的商业设备数据、计算机和物理模型，对垂直氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 功率器件进行了比较介绍。本书使用近年来的商业实例，介绍了各种 GaN 和 SiC 功率元件和器件的设计特点。探索了垂直与横向功率半导体器件，包括基于宽带隙材料的功率半导体器件。解释固态物理的抽象概念，因为它们与固态器件有关，特别强调功率固态器件。
详细介绍了光子回收的影响，包括对光子回收家谱现象的解释。本书深入介绍了 GaN 的块状晶体生长，包括氢化物气相外延 (HVPE) 生长、高压氮溶液生长、钠助熔剂生长、氨热生长和 SiC 的升华生长。解释了制造过程，包括离子注入、扩散、氧化、金属化和钝化。该书提供了有关金属-半导体接触、单极功率二极管和金属-绝缘体-半导体 (MIS) 电容器的详细信息。该资源还涵盖了双极功率二极管、功率开关器件和边缘终端器件等。
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