使用直冷式 SiC 功率模块提高三相逆变器的功率密度
作者：
日期：2022-01-18
使用直冷式 SiC 功率模块提高三相逆变器的功率密度
作者：Matthew Feurtado、Matt Reeves、Daniel Martin 和 Ty McNutt，Wolfspeed，阿肯色州费耶特维尔市和 Wieland Microcool，俄勒冈州本德市
重点：
Wolfspeed 的 XM3 带直冷基板的半桥功率模块优化了公司第三代 SiC MOSFET 的性能。直接冷却基板集成了液体冷却，与连接到液冷散热器的传统平面基板版本相比，它提高了热性能并实现了更大的功率输出。在本文中，描述了这两种模块类型的特征，并解释和演示了直冷模块与平基板模块相比的性能和制造优势。实验验证了直接冷却模块的改进性能，并记录了测量结温的不同方法。然后，在三相逆变器设计示例中展示了直接冷却模块的系统级优势，该示例使用电动汽车应用中使用的 800 V 总线。
你会学到什么：
如何使用集成液冷基板提高半桥 SiC 功率模块的冷却性能和功率密度
如何在 EV 应用中提高 SiC 半桥模块的功率输出能力
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