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《GaN基射频功率器件和放大器》

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日期：2022-05-27

《GaN基射频功率器件和放大器》

氮化镓（GaN）功率晶体管可在毫米波及以上频段工作，以满足未来手机、卫星和电视广播的需求。射频功率电子学的快速发展要求引入宽带隙材料，因为其具有高输出功率密度、高工作电压和高输入阻抗的潜力。近十年来，GaN基射频功率器件取得了长足的进步。本文试图回顾GaN HEMT技术的最新发展，包括材料生长、加工技术、器件外延结构和MMIC设计，以实现最先进的微波和毫米波性能。同时本文还讨论了GaN基射频功率器件在可靠性和制造方面所面临的挑战。
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