本文的重点:
本系列的第6部分重点介绍驱动碳化硅MOSFET所需的栅极驱动电路。本文基于使用昂赛米的新型SiC模块构建25 kW快速EV充电器时学到的经验教训。本部分介绍如何在高功率应用中设计和调整耦合栅极驱动器和SiC MOSFET组合。它使用电流隔离的IGBT栅极驱动器作为起点,并通过新的专用电流隔离SiC栅极驱动器进行了改进。本文首先解释了SiC MOSFET与Si IGBTS和SJ MOSFET的不同栅极驱动要求。接下来讨论25kW应用的具体要求,实施SiC栅极驱动器,仿真栅极驱动器设计以及PCB布局指南。
您将学到:
- 如何为高功率碳化硅 MOSFET 功率级设计栅极驱动电路
- 如何了解碳化硅MOSFET与Si IGBTS与SJ MOSFET的栅极驱动要求的差异