《Modeling Power GaN-HEMTs Using Standard MOSFET Equations and Parameters in SPICE（使用SPICE中的标准 MOSFET 方程和参数建模功率 GaN-HEMT半导体器件）》
作者：
日期：2021-10-03
《Modeling Power GaN-HEMTs Using Standard MOSFET Equations and Parameters in SPICE（使用SPICE中的标准 MOSFET 方程和参数建模功率 GaN-HEMT半导体器件）》
摘要
标准电路模拟器 （SPICE） 中的设备库缺少用于设计和验证电源电子电路所需的基于氮化镓高电子移动晶体管 （GaN-HEMT） 的模型。本文表明，GaN-HEMT 可以通过 SPICE 中标准 MOSFET Level-3 模型的选定方程进行建模。建议在这些方程中提取 SPICE 参数的方法。选定的方程和建议的参数提取方法通过测量商业 GaN-HEMT 的静态和动态特性进行验证。此外，在 LTSpice 中进行了双脉冲测试，并与其制造商提供的模型进行比较，以证明 MOSFET Level-3 模型的有效性。与某些制造商提供的替代行为模型相比，使用 MOSFET Level-3 模型的拟议方法的优点是，用户可以应用建议的方法来调整 MOSFET Level-3 模型的参数，以适用于不为其GaN-HEMT 提供 SPICE 模型的制造商。
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