《Compact Noise Modeling Approach in Nano-scaled CSDG MOSFET for RF Switch（用于 RF 开关的纳米级 CSDG MOSFET 中的紧凑型噪声建模方法）》
作者：
日期：2021-10-03
《Compact Noise Modeling Approach in Nano-scaled CSDG MOSFET for RF Switch（用于 RF 开关的纳米级 CSDG MOSFET 中的紧凑型噪声建模方法）》
摘要
圆柱形环绕双栅极 （CSDG， Cylindrical Surrounding Double-Gate ） MOSFET 可用于设计基于纳米技术的开关，可从各种天线中选择信号，然后送到发射或者接收部分。与双栅极（DG）MOSFET相比，CSDG模型具有降低噪声的优点，适用于纳米技术和射频技术的各种开关电路应用。在这项研究中，设计了CSDG MOSFET的噪声模型，并进行了分析，以应用纳米技术体系，重点研究各种噪声。
客服咨询
400 093 7005
周一至周日：09:00AM-21:00PM
微信扫码关注
小程序扫码注册