《SiC-MOSFET and Si-IGBT-Based dc-dc Interleaved Converters for EV Chargers: Approach for Efficiency Comparison with Minimum Switching Losses Based on Complete Parasitic Modeling（SIC-MOSFET 和基于 Si-IGBT 直流交织转换器的 EV 充电器：基于完整寄生建模的最小开关损耗的效率比较方法）》
作者：
日期：2021-10-03
《SiC-MOSFET and Si-IGBT-Based dc-dc Interleaved Converters for EV Chargers: Approach for Efficiency Comparison with Minimum Switching Losses Based on Complete Parasitic Modeling（SIC-MOSFET 和基于 Si-IGBT 直流交织转换器的 EV 充电器：基于完整寄生建模的最小开关损耗的效率比较方法）》
摘要
电力流动的广泛传播高度依赖于电力转换器、存储系统和可再生能源。当谈到功率转换器时效率和可靠性，结合新兴和创新的技术是关键。本文考虑了叶间直流-直流拓扑，因为它的可靠性提高。SiC-MOSFET 和基于 Si-IGBT 的转换器在广泛的开关频率和输出电感方面进行了效率比较。通过对详细寄生电路模型的分析，考虑了交织转换器的最佳开关参数，以确保最小损失并维护安全操作区域。分析包括对不同电感器的比较，对选定的电感器进行了完整的系统效率和成本分析。结果表明，当SiC-MOSFET应用于跨叶直流拓扑，用于广泛的输出电感和开关频率时，它们的好处，最重要的是，它们提供较低的总体积，但也同时提供较低的总成本。从制造商的实验测试中获得的功率器件的真实和动态模型已在 LTspice 和 PLECS 仿真工具中进行了考虑。
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