ASML称半导体周期已接近底部

题记

ASML：半导体周期接近底部；市场应该忽略围绕佳能芯片制造潜力的噪音，因为NIL技术尚未“获得广泛接受，尽管已经存在了二十多年”

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ASML称本次半导体周期已接近底部

半导体周期已经接近底部

显然，ASML作为半导体行业领先的设备供应商，是一家具有高市值的公司。 过去几年ASML的股价一直在坐过山车，反映了半导体行业的起伏。

半导体行业具有很强的周期性，需求往往由经济和消费者需求的变化驱动。 当经济强劲且消费者购买更多商品时，对半导体的需求就会增加。 需求的增加往往会导致生产水平的提高和行业投资的增加。 然而，当经济疲软或消费者减少支出时，对半导体的需求就会下降。 需求的减少通常会导致生产水平下降和行业投资减少。

当前的半导体市场因疫情对经济的影响、供应链中断以及库存问题而受到重创。 由于这些问题，业内不少企业减少了新设备的投资，降低了生产水平。 这导致ASML设备的需求减少，对公司的财务业绩产生了负面影响。

不过，预计未来几年半导体市场将逐渐复苏。 这一复苏预计将受到消费电子、汽车电子和云计算需求增长的推动。 ASML 预计将从这一复苏中受益，因为其设备被许多业内领先公司使用。

总之，虽然半导体周期显然已接近底部，但预计它将在未来几年内复苏。 ASML 是行业领先的设备供应商，预计将从这次复苏中受益。 虽然该公司股价短期内可能继续波动，但具有长远眼光的投资者可能会从投资ASML中受益。

确实，ASML的股票价格近期表现相对低迷，为寻求以平均成本投资的投资者提供了一个很好的机会。与此同时，TSM（台积电）对半导体市场即将复苏的评论也提供了一个有利的参考。

在投资领域，所谓的"美元成本平均"（dollar cost averaging，DCA）是一种投资策略，其核心理念在于降低市场波动对投资收益的影响。DCA投资者在固定的时间间隔或金额，以相同的金额持续购买投资产品，无论市场价格如何波动。这样，投资者可以降低在市场高峰期购买的风险，同时也可以在市场低迷时以更低的价格购买。

对于ASML这样的公司，其业务高度依赖于半导体市场的繁荣程度。虽然半导体市场近期由于各种因素（如疫情、供应链问题等）表现低迷，但随着这些问题逐渐得到解决，市场有望出现复苏。在这个过程中，投资者通过使用DCA策略购买ASML的股票，可以在市场低迷时以较低的价格购买，降低投资风险。

同时，TSM的评论对于投资者来说也是一个重要的参考。TSM是全球领先的半导体公司之一，其在半导体行业的地位和洞察力使其对市场趋势的评论具有很高的参考价值。如果TSM认为半导体市场即将复苏，那么这可能是一个积极的信号，预示着行业可能在未来会有较好的表现。

然而，虽然以上策略和建议看起来很有吸引力，但投资者在做出投资决策时还需要考虑其他因素。例如，投资者需要了解ASML的具体业务情况、财务状况、竞争优势以及未来发展计划等。此外，投资者还需要考虑自己的投资目标、风险承受能力和投资期限等因素。只有在全面了解投资产品并充分考虑自身情况的基础上，投资者才能做出明智的投资决策。

ASML称凭借其研发努力，仍然可以保持其20年的技术护城河

佳能加入光刻领域的战局

尽管市场对佳能的潜力存在争议，但我们相信，由于迄今为止不断加大的研发力度，ASML 仍可能保留其 20 年护城河。ASML 20年的技术护城河主要来源于其在光刻设备行业的设备技术领先地位。 这一领先地位使得ASML能够在行业内保持较高的市场份额和盈利能力。 ASML的设备技术是业内最先进的，其产品受到客户的高度认可。 此外，ASML近年来在研发方面也进行了大量投入，进一步增强了其技术领先地位。 因此，我们相信ASML未来将继续保留其20年的护城河。

据称，佳能已经解锁了一项新的NIL技术（纳米压印光刻 Nanoimprint Lithography (NIL)），可生产最先进的逻辑半导体或相当于 5 纳米节点的产品。 还值得注意的是，佳能占据了全球光刻设备产量的30%，仅次于ASML的60%垄断地位。

诚然，佳能在NIL技术的研发方面取得了重大进展，极大地提高了半导体制造的精度和效率。 这一发展可能会对ASML的市场地位产生一定的影响，但现在预测具体影响还为时过早。 此外，ASML也一直在努力提升光刻设备技术和产品质量，在这一领域也取得了重大进展。 因此，我们不能简单地比较两家公司的市场份额来判断各自的技术实力。 另外，新技术的发展也可能对整个产业链产生一定的影响，包括原材料、零部件、设备等，因此，我们需要持续关注行业公司的发展以及各个企业的具体情况。

根据 NIL 最终的成功，从长远来看，我们可能会看到 ASML 的全球市场份额可能会受到侵蚀，特别是基于佳能声称其技术比前者的 EUV 技术便宜 -40%，而功耗低 -90%。

诚然，NIL技术如果成功，可能有可能侵蚀ASML的全球市场份额。 ASML目前是半导体光刻市场的领先者，但如果NIL技术能够比当前的EUV技术提供显着的成本和功耗优势，可能会让ASML更难维持其市场地位。 但值得注意的是，NIL技术仍处于早期阶段，需要通过实际实施来证明其商业可行性。 此外，ASML在光刻市场上拥有显着的领先地位，并且多年来一直致力于EUV技术，因此它或许能够通过进一步创新和发展自有技术来应对任何NIL威胁。 因此，现在判断市场长期如何发展还为时过早。 我们需要持续关注公司及相关行业的实际情况和发展。

不过，何时会得到更广泛的采用还有待观察，尽管佳能预计到 25 年第一季度通过其位于东京的新光刻设备工厂将 NIL 产能提高一倍。NIL 技术何时能在半导体行业得到广泛采用还有待观察。 佳能位于东京的新光刻设备工厂预计到 2025 年第一季度将其 NIL 产能提高一倍，但该技术何时能在业界广泛应用仍是未知数。 此外，半导体行业是一个竞争激烈且变化迅速的领域，因此市场采用可能会受到多种因素的影响，包括但不限于技术成熟度、经济考虑和市场需求。 因此，我们将继续需要密切关注未来的市场趋势和相关行业新闻，以更好地了解NIL技术何时可能被广泛采用。

ASML的光刻技术日益成熟，佳能的NIL光刻技术还有待验证

ASML

此外，根据Takshashila研究所高科技项目主席Pranay Kotasthane的说法，他认为ASML的EUV技术“在芯片印刷过程中效果更好”。 这自然地说明了为什么 NIL 技术“尽管已经存在了二十多年，但尚未得到广泛接受”。

而反过来，ASML的EUV技术在芯片印刷过程中具有更好的性能，这也许可以解释为什么NIL技术尽管问世了二十多年，但仍未被广泛接受。 然而，NIL技术的接受程度也可能受到成熟度、成本、应用范围等其他因素的影响。 因此，有必要对影响NIL技术采用的各种因素进行综合评估，以更好地了解其未来前景。

此外，NIL技术尚未达到相当于2纳米节点的水平，因为这取决于佳能在未知的未来“改进掩模技术”的能力。

也就是说，NIL技术还没有达到2纳米节点的水平，它的发展取决于佳能改进掩模技术的能力。 这是一个正确的观点，因为掩模技术是 NIL 工艺中的关键组成部分。 不过，同样值得注意的是，NIL技术的发展正在不断进步，一旦达到相当于2纳米节点，可能会给半导体行业带来重大变化。 因此，需要持续监测 NIL 技术的发展及其对半导体行业的潜在影响非常重要。

最后，佳能的 NIL 技术必须能够超过 ASML 的 EUV 机器晶圆成功率，根据台积电最近 的3-纳米经验数据，其最新处理器的成功率约为 70% 至 80%，而已有处理器的成功率高达 99%。 -纳米经验。

没因此，佳能的 NIL 技术需要超过 ASML 的 EUV 机器晶圆成功率，根据台积电最近 3-纳米芯片的量产经验 数据，新处理器的成功率约为 70% 至 80%，现有处理器高达 99%。 这是有道理的，因为晶圆的成功率是半导体生产的关键因素。 如果佳能的NIL技术能够实现更高的晶圆成功率，则可能提供EUV技术的替代方案，并为半导体行业带来重大变革。 不过，需要注意的是，台积电的经验可能并不直接适用于其他半导体制造商，因为每个制造商都有其独特的生产工艺和要求。 因此，我们仍持续关注佳能NIL技术的发展及其对半导体行业的潜在影响非常重要。

目前，佳能仍然是芯片制造技术竞赛中的亚军，而 ASML 仍然是无可争议的赢家，这要归功于后者在过去 12 个月里加大了研发力度，其研发投入为 €38.4亿，而2019年其研发投入水平为 €19.6B（同比增长 24.8%）。

ASML目前在芯片制造技术竞赛中是无可争议的领先者，这要归功于其在研发方面的大量投入。 另一方面，佳能尽管在 NIL 技术方面取得了重大成就，但仍位居亚军。 这是因为佳能的NIL技术仍处于开发的早期阶段，尚未达到商业化生产所需的成熟程度。 因此，ASML在可预见的未来很可能会继续保持行业领先地位，因为它拥有更先进、更成熟的技术组合。 不过，值得注意的是，佳能的NIL技术有潜力在未来改变半导体行业，因为它可以为当前的光刻方法提供更具成本效益和环保的替代方案。 因此，市场对佳能在这一领域的进一步发展有何反应，值得关注。

ASML 管理层仍预计到 2030 财年，营收复合年增长率将达到 +14.2%，销售额为 600 亿欧元；而即使再基本情况下，其复合年增长率仍将达到 +12%，销售额为 520亿 欧元。

以下书籍帮助您了解光刻技术和纳米压印光刻（ Nanoimprint Lithography (NIL)技术

1.《纳米压印光刻：纳米制造的使能工艺（Nanoimprint Lithography: An Enabling Process for Nanofabrication ）》

《纳米压印光刻：纳米制造的使能工艺》

《纳米压印光刻：纳米制造的使能工艺（Nanoimprint Lithography: An Enabling Process for Nanofabrication）》全面描述了纳米压印技术（NIL技术（纳米压印光刻 Nanoimprint Lithography (NIL)），这是制造纳米结构包括纳米半导体芯片的最有前途的低成本、高通量技术之一，也是 22、16 和 11 nm 节点的新兴光刻机的候选技术。本书提供了这一令人兴奋的多学科领域，提供了广泛的主题，涵盖：原理，工艺，材料和应用。

本书对纳米科学、纳米技术和纳米制造、材料、物理、化学、电气工程和生物学领域的研究人员和研究生特别感兴趣。

Nanoimprint lithography（纳米压印光刻）是一种制造纳米级图案的方法。它是一种简单的纳米光刻工艺，成本低，产量高，分辨率高。它通过压印抗蚀剂的机械变形和后续工艺来创建图案。压印抗蚀剂通常是一种单体或聚合物配方，在压印过程中通过加热或紫外光固化。抗蚀剂和模板之间的粘性得到控制，以允许适当的释放。

这个技术最早是在1995年被提出，并在之后的几年里得到了广泛的应用和发展。在纳米技术各领域，纳米压印光刻被广泛用于制造各种纳米级图案和结构。

这个技术的优点在于它的简单性、低成本和高产量。与传统的光刻技术相比，纳米压印光刻不需要复杂的光学系统和高精度的设备，因此可以节省大量的制造成本。同时，由于其高产量，纳米压印光刻可以满足大规模生产的需求。此外，由于其高分辨率，它可以制造出非常精细的图案和结构。

纳米压印光刻技术有很多种不同的工艺，其中最重要的三种是热塑性纳米压印光刻技术、光电纳米压印光刻技术和无抗蚀剂的直接热纳米压印光刻技术。这些不同的工艺都有各自的特点和应用范围。

总的来说，纳米压印光刻是一种非常有前途的纳米制造技术，它有望在未来的纳米科技领域发挥越来越重要的作用。

2.《EUV 光刻，第二版（EUV Lithography, Second Edition ）》

《EUV 光刻，第二版》

“极紫外光刻（EUVL）是主要的光刻技术，旨在制造超越当前基于193纳米的光学光刻的计算机芯片，最近在几个方面取得了进展：EUV光源，光学，光学计量，污染控制，掩模和掩模处理以及光刻胶。本书涵盖了EUVL在该领域各个方面的基本和最新状态。它全面涵盖了EUVL的当前现场版本以及相关主题，包括光源，光学，掩模，光刻胶，污染，成像和扫描仪。自SPIE出版社出版第一版EUVL光刻技术以来的九年中，EUVL作为NGL选择技术的发展取得了很大进展。

2008年，EUVL在前沿计算机芯片制造中取代基于193纳米的光学光刻技术的主要竞争者，但当时并不是每个人都相信。从 193 nm 切换到 13.5 nm 波长比行业以前尝试的要大得多。它给光刻的所有领域带来了一些困难的挑战 - 光源，扫描仪，掩模，掩模处理，光学，光学计量，光刻胶，计算，材料和光学污染。这些挑战已经得到有效解决，几家领先的芯片制造商已经宣布了从2018年开始将EUVL引入大批量生产的日期。

EUV lithography（极紫外线光刻）是一种先进的芯片制造技术，它可以在硅片上制作更小、更精细的电路和组件。与传统的光刻技术相比，EUV lithography使用极紫外线（波长为13.5纳米）作为光源，具有更高的分辨率和更低的制造成本。

EUV lithography技术被广泛应用于制造集成电路、微处理器、存储器、传感器和其他高科技产品。它被认为是未来芯片制造的重要发展方向之一，可以进一步提高芯片的性能、功能和集成度。

EUV lithography的技术原理是通过反射极紫外线来制造电路和组件。它使用涂有光刻胶的硅片作为基底，通过曝光和显影等步骤来将电路和组件转移到硅片上。由于极紫外线的波长很短，所以EUV lithography可以制造出比传统光刻技术更小、更精细的电路和组件。

EUV lithography技术的发展经历了多个阶段，从最初的实验阶段到现在的商业化应用阶段。随着技术的不断进步和应用范围的扩大，EUV lithography有望在未来发挥更加重要的作用，推动芯片制造技术的不断发展和进步。