开发基于 25 kW SiC 的快速直流充电器（第 6 部分）：用于功率模块的栅极驱动系统
作者：
日期：2021-11-06
开发基于 25 kW SiC 的快速直流充电器（第 6 部分）：用于功率模块的栅极驱动系统
作者：Karol Rendek、Stefan Kosterec、Rachit Kumar、Didier Balocco、Aniruddha Kolarkar、Parthiv Pandya 和 Will Abdeh，亚利桑那州凤凰城 Onsemi，How2Power Today，2021 年 10 月 15 日
重点：
本系列的第 6 部分重点介绍驱动 SiC MOSFET 所需的栅极驱动电路。本文基于使用 onsemi 的新型 SiC 模块构建 25 kW 快速电动汽车充电器时获得的经验教训。本部分介绍如何在高功率应用中设计和调整耦合栅极驱动器和 SiC MOSFET 的组合。它使用电隔离 IGBT 栅极驱动器作为起点，并引入了新的专用电隔离 SiC 栅极驱动器的改进。本文首先解释了 SiC MOSFET 与 Si IGBTS 和 SJ MOSFET 的不同栅极驱动要求。随后讨论了 25 kW 应用的具体要求、实现 SiC 栅极驱动器、栅极驱动器设计仿真和 PCB 布局指南。
你会学到什么：
如何设计高功率 SiC MOSFET 功率级的栅极驱动电路
如何理解 SiC MOSFET 与 Si IGBTS 与 SJ MOSFET 在栅极驱动要求方面的差异
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