WFE 高 K SOI MOSFET 的界面陷阱电荷诱导阈值电压建模
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日期：2021-11-14
WFE 高 K SOI MOSFET 的界面陷阱电荷诱导阈值电压建模
目前的努力尝试开发线性渐变功函数设计的绝缘体上硅 MOSFET 的显式阈值电压模型，考虑到在前高 k 栅极堆叠/沟道和掩埋氧化物层/沟道界面处捕获的局部电荷的影响。由于此类等效氧化物电荷的积累会调节平带电压并改变器件的阈值电压特性，因此在制定其分析模型时，包含此类影响是不可避免的。因此，这里通过改变沟道厚度、高 k 电介质和漏极偏压，随后与新的 SOI MOSFET 等效物进行比较，展示了基于对受正/负俘获电荷影响的器件的电位分布和阈值电压行为的广泛研究的分析方法.所有分析推论都与相关的 ATLAS 模拟数据进行比较，以证实导出模型的卓越性。客服咨询
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