短路操作中的 SiC 功率 MOSFET：将物理和数值方法与电路类型实现相结合的电热宏建模
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日期：2021-11-14
短路操作中的 SiC 功率 MOSFET：将物理和数值方法与电路类型实现相结合的电热宏建模
本文的目的是首次描述意外短路 (SC) 操作期间 (SiC) 功率 MOSFET 的全局瞬态电热模型。开发的模型允许分析逆变器支路故障。 SiC MOSFET 管芯的热模型与大量实验相结合，可以开发 SC 事件期间的栅极漏电流和漏极饱和电流模型。在验证了所提出的基本模型的鲁棒性之后，提出并讨论了使用商业电路仿真工具易于实现的原始全局电路模型。该电路模型可用于开发针对 SC 故障的保护方案。
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