《设备和系统光刻路线图的国际路线图---International Roadmap For Devices And Systems Lithography Roadmap》
作者：
日期：2021-11-27
《设备和系统光刻路线图的国际路线图---International Roadmap For Devices And Systems Lithography Roadmap》
The 2021 lithography roadmap shows requirements, possible options, and challenges for the next 15 years.设备和系统光刻路线图的国际路线图
2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。
背景：半导体芯片性能的计划改进历来推动了光刻技术的改进，预计未来这种情况将持续下去。设备和系统路线图的国际路线图有助于行业规划未来。
目标：2021 年光刻路线图显示了未来 15 年的要求、可能的选择和挑战。
结果：逻辑芯片中的关键尺寸现在足够小，以至于随机性，即光子、分子和光刻胶成像过程中的随机变化，会引入尺寸的随机变化和随机驱动的缺陷。随着关键维度变得越来越小，随机性成为一个更大的挑战。该路线图预计，尽管在工具、光刻胶、设备设计和图案化工艺方面有所改进，但在未来 10 年内，印刷抗蚀剂的剂量仍需增加大约三倍，以保持可接受的随机性，除非对工艺或芯片设计进行重大更改。这将大大提高图案化成本。其他图案化选项正在开发中，但它们也存在与缺陷相关的挑战。边缘放置错误 (EPE) 也是未来设备的挑战。从长远来看，逻辑器件需求将推动堆叠器件，而良率和工艺复杂性将是关键挑战。
结论：逻辑器件将推动前沿光刻技术。改进的极紫外光刻是一个主要的候选者，但其他选择也是可能的。主要的短期挑战是随机性、EPE 和成本。除非出现实质性的工艺创新，否则印刷的抗蚀剂剂量预计会随着关键尺寸的缩小而大幅上升。从长远来看，当逻辑设备切换到 3D 缩放时，挑战将是量产和工艺复杂性。”
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