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《Compact Noise Modeling Approach in Nano-scaled CSDG MOSFET for RF Switch（用于 RF 开关的纳米级 CSDG MOSFET 中的紧凑型噪声建模方法）》
圆柱形环绕双栅极 （CSDG， Cylindrical Surrounding Double-Gate ） MOSFET 可用于设计基于纳米技术的开关，可从各种天线中选择信号，然后送到发射或者接收部分。
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《Modeling Power GaN-HEMTs Using Standard MOSFET Equations and Parameters in SPICE（使用SPICE中的标准 MOSFET 方程和参数建模功率 GaN-HEMT半导体器件）》
标准电路模拟器 （SPICE） 中的设备库缺少用于设计和验证电源电子电路所需的基于氮化镓高电子移动晶体管 （GaN-HEMT） 的模型。本文表明，GaN-HEMT 可以通过 SPICE 中标准 MOSFET Level-3 模型的选定方程进行建模。
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