多芯片方法跨越所有封装类型，主导智能手机和可穿戴设备市场。 IC封装技术在开发新的电子产品方面继续发挥着重要作用，特别是采用系统级封装(system in package,SIP)技术，这种成功的方法继续获得发展势头，但主要是在雷达应用场景中，因为它增加了竞争的优势。

电力流动的广泛传播高度依赖于电力转换器、存储系统和可再生能源。当谈到功率转换器时效率和可靠性，结合新兴和创新的技术是关键。

圆柱形环绕双栅极 （CSDG， Cylindrical Surrounding Double-Gate ） MOSFET 可用于设计基于纳米技术的开关，可从各种天线中选择信号，然后送到发射或者接收部分。

标准电路模拟器 （SPICE） 中的设备库缺少用于设计和验证电源电子电路所需的基于氮化镓高电子移动晶体管 （GaN-HEMT） 的模型。本文表明，GaN-HEMT 可以通过 SPICE 中标准 MOSFET Level-3 模型的选定方程进行建模。