负载调制是一种通过动态改变功率放大器的负载阻抗来高效地产生调幅信号的新技术。原型MOSFET PA在E类功放工作，在30 MHz时产生19 W的峰值输出，效率为66%。负载调制是由一个T网络和一对高压MOSFET（充当电压可变电容器）完成的。

氮化镓（GaN）功率晶体管可在毫米波及以上频段工作，以满足未来手机、卫星和电视广播的需求。射频功率电子学的快速发展要求引入宽带隙材料，因为其具有高输出功率密度、高工作电压和高输入阻抗的潜力。

Radio Frequency Transceiver Design in Agilent ADS

RF Design Software Learning Kit

Smith chart

Microwave Amplifier Design and Smith Chart Utility for Z Matching Network using ADS

Microwave Discrete and Microstrip Filter Design in ADS

包络跟踪 (ET) 是一种用于射频功率放大器 (RFPA) 的电源调制技术，主要用于提高其效率。本文介绍了两相三电平降压转换器的设计和性能分析，然后将其与用于 ET 电源应用的两电平对应物进行比较。选择以 25 MHz 开关频率的氮化镓 (GaN) MOSFET 作为功率级器件，并使用零电压开关 (ZVS) 技术来提高效率。

EMI 建模通常涉及噪声源和基本耦合路径的表征，这些模型可以是基于物理的模型或行为模型。后者可以实现更快、更稳定的模拟。本系列的第 14 部分介绍和概述了行为 EMI 模型，其中噪声源和阻抗的紧凑关联确定了 DC-DC 转换器及其外部 EMI 行为。

MIPI Specification for I3C Version 1.0