作品总结
《抗辐射半导体存储器》
《抗辐射半导体存储器》面向有兴趣了解如何设计抗辐射半导体存储器并对其进行初步评估、利用不同硅芯片代工厂提供的标准 CMOS 制造工艺和使用不同技术节点的研究人员和专业人士阅读。在本书的第一部分，将对空间辐射的影响进行初步概述，特别关注存储器，以使读者理解为什么采用特定的设计解决方案来减轻硬错误和软错误。第二部分将专注于半导体组件的 RHBD（设计辐射硬化）技术，特别关注存储器。该方法将遵循自上而下的方案，从 RHBD 在架构级别（如何构建抗辐射平面图）、电路级别（如何通过以正确方式处理晶体管来减轻辐射效应）和布局级别（如何塑造布局以减轻辐射效应）。在描述缓解技术之后，本书进入主题的核心，涵盖 SRAM（同步、异步、单端口和双端口）和 PROM（基于 AntiFuse OTP 技术），描述如何设计抗辐射闪存并将 RHBD 培养成 ReRAM 等新兴存储器。最后一部分将是在很早的阶段进入新兴存储器，尚未准备好在硅中用于工业用途，但有可能成为下一波抗辐射组件的选择。本书中讨论的技术主题包括： - 半导体元件的辐射效应（TID、SEE） - 辐射硬化设计 (RHBD) 技术 - 抗辐射 SRAM - 抗辐射 PROM - 抗辐射闪存 NVM - 抗辐射 ReRAM -抗辐射的新兴技术。
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