《碳化硅,第2卷:电力设备和传感器》

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日期:2022-03-01

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作品总结

《碳化硅,第2卷:电力设备和传感器》

《碳化硅,第2卷:电力设备和传感器》,碳化硅——这种易于制造的硅和碳化合物是新兴的电子应用材料。高热导率、高电场击穿强度和高最大电流密度使其成为高功率半导体器件最有前途的材料。除了在电力电子、传感器和NEMS中的应用外,SiC最近作为受控石墨烯制造的衬底材料获得了新的兴趣。碳化硅和石墨烯研究面向终端市场,并对电动汽车等快速增长的兴趣领域产生了巨大影响。
本卷专门介绍大功率器件产品及其在工业应用中面临的挑战。读者将受益于肖特基势垒二极管的发展和可靠性方面的报告,以及SiC功率MOSFET或SiC传感器的优势。作者讨论了MEMS和NEMS作为用于汽车工业的SiC基电子器件,以及用于高温应用的SiC基电路元件,以及晶体管在光伏逆变器中的应用。
贡献者名单读起来像是SiC社区的“名人录”,从积极参与SiC晶体生长和设备开发的研究机构和企业之间的合作中获益匪浅。前者包括CREE Inc.和Fraunhofer ISE,而该行业的代表是东芝、日产、英飞凌、NASA、海军研究实验室和伦斯勒理工学院,仅举几例。

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