作品总结
《高频GaN电子器件 》
本书汇集了科学家和器件工程师在III-N材料系统中积极扩展的传统晶体管以及非常规高频器件概念方面的最新研究。详细讨论了基于深度缩放HEMT的毫米波至太赫兹操作的器件概念，以及基于偏振诱导的2DEG信道中等离子体波传播、隧穿和热载波注入的分布式器件设计。此外，还包括基础材料科学的进步，使这些演示成为可能，以及计量学的进步，这些进步允许对这些新兴设备概念进行准确的表征和评估。本书面向希望推动基于GaN的电子设备研究的读者，提供了适用于将GaN和相关材料应用于新兴超高频应用的器件概念和物理现象学的最新，全面的研究。
为读者提供对传统（即HEMT）缩放以及非常规器件架构中最先进的综合处理，这些架构适用于使用基于GaN的器件在mm波和太赫兹状态下进行放大和信号生成，由该领域活跃且广为人知的专家撰写的作品：
- 讨论传统的缩放HEMT（进入深毫米波）以及解决毫米波和太赫兹制度的非常规方法;
- 提供“垂直整合”覆盖，包括支持这些最新进展的材料科学，以及器件物理和设计以及计量技术;
- 包括基础物理，以及数值模拟和实验实现。
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