《CMOS 单元设计基础知识》

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日期:2022-08-21

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作品总结

《CMOS 单元设计基础知识》

设计和仿真任何类型的CMOS电路!电子电路设计师和电子工程专业的学生可以转向《CMOS单元设计基础》,以实践为基础,介绍每种主要类型的CMOS(互补金属氧化物半导体)集成电路的设计和仿真。您将逐步了解在深亚微米技术中设计和仿真CMOS集成电路所需的一切,包括MOS器件:逆变器:互连:基本门:算术:顺序单元设计:和模拟基本单元。本书还介绍了设计规则、Microwind 程序操作和命令、设计逻辑编辑器操作和命令以及快速参考表。包含 100 个技能构建插图, CMOS 单元设计基础知识 功能: * MOS 器件建模专家指导 * 有关微米和深亚微米技术的完整详细信息 * 有关基本逻辑门的清晰、简洁的信息 * 模拟单元的全覆盖 * 丰富的电路仿真工具本具有里程碑意义的 CMOS 电路设计指南-• MOS 器件和技术 • MOS 建模 • 逆变器 • 互连 • 基本门 • 算术 • 顺序单元设计 • 模拟单元 • 附录:设计规则;微风程序操作与命令;设计逻辑编辑器操作和命令;快速参考表博士Etienne Sicard是图卢兹ISNA电子工程学院的电子工程教授。他曾在西班牙巴利阿里群岛大学和日本大阪大学任教。他是微电子和声音处理方面多个教育软件包的作者.Sonia Delmas Bendhia博士是图卢兹INSA电子工程学院电气和计算机工程系的高级讲师。

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