作品总结
《Mosfets的物理和建模，The： Surface-potential Model Hisim》
本卷及时介绍了用于电路仿真的最新紧凑型MOS晶体管模型。在过去十年中主导电路仿真的第一代BSIM3和BSIM4型号不再能够表征现代100nm以下MOS晶体管的所有重要特性。本书讨论了第二代MOS晶体管模型，这些模型现在需求量很大，并被带入制造应用的初始阶段。它考虑了模型如何使用MOS晶体管通道中的表面电位变量来包含完整的漂移 - 扩散理论，以便给出一个表征方程。
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