作品总结
《纳米场效应晶体管基础 》
《纳米级场效应晶体管基础》全面涵盖了纳米级晶体管背后的基本物理原理和理论。充分探讨了纳米级MOSFET出现的具体问题，如量子力学隧穿和反演层量子化。还给出了这些问题的解决方案，例如高κ技术，应变硅技术，替代器件结构和石墨烯技术。书中还给出了有关上述问题和解决方案的一些案例研究。
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