《用于双刀四掷射频开关的MOSFET技术》

本书提供分析和讨论各种MOSFET技术的设计，这些技术用于下一代通信系统双刀四掷（DP4T）RF开关的设计。作者讨论了使用双栅极 （DG） MOSFET 以及圆柱形环绕双栅极 （CSDG） MOSFET 来设计 （DP4T） RF 开关。还探讨了HFO2（高介电材料）在DG MOSFET和CSDG MOSFET设计中的作用。覆盖范围包括单栅极 MOSFET 和双栅极 MOSFET 开关参数的比较，以及使用图像采集测试 MOSFET 参数。

- 为设计提供最新技术的单一来源参考

双栅极 MOSFET、圆柱形环绕双栅极 MOSFET 和 HFO2基于MOSFET;

- 使用所提出的技术解释RF开关的设计并模拟开关;

- 验证参数并讨论设备和开关的可行性。