作品总结
《高 k 栅极电介质材料：先进金属氧化物半导体场效应晶体管 （MOSFET） 的应用》
本卷书籍探讨并解决了高k栅极电介质材料的挑战，这是不断发展的半导体行业和国际半导体技术路线图（ITRS）中的主要问题之一。高k栅极电介质材料的应用是一种很有前途的策略，可以进一步实现微电子元件的小型化。
本书对SiO2材料进行了广泛的回顾，包括摩尔定律的简要历史注释，然后是基于SiO2的MOS晶体管的可靠性问题。它继续讨论具有EOT〜1 nm和高k材料的栅极电介质的转变。本书还讨论了不同高k薄膜的各种沉积技术的综述。高k介电理论（量子隧穿效应和界面工程理论）和不同新型MOSFET结构的应用，如隧穿FET，也在本书中进行了介绍。
本书还探讨了CMOS技术未来的重要问题，并分析了高k材料五氧化二钽的界面电荷密度。CMOS VLSI技术与高k栅极电介质材料的问题以及先进的MOSFET结构及其工作结构和建模也包括在本书内。
这一及时的材料将被证明它是未来IC技术中高k介电材料的基本原理和成功集成的宝贵参考学习资源。
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