《MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide 》

电路仿真在集成电路设计中至关重要，电路仿真的精度取决于晶体管模型的精度。BSIM3v3（伯克利短通道IGFET模型的BSIM）已被紧凑型模型委员会选为第一个用于标准化的MOSFET模型，该模型委员会是由半导体和设计工具领域的领先公司组成的联盟。
在接下来的几年中，许多无晶圆厂和集成半导体公司预计将从数十种其他MOSFET型号切换到BSIM3。这将需要许多器件工程师和大多数电路设计人员学习BSIM3的基础知识。
MOSFET Modeling & BSIM3 用户指南解释了在建模 MOSFET 中重要的详细物理效应，并介绍了紧凑模型表达式的推导，以便用户可以理解模型方程和参数的物理含义。
这是第一本专门介绍BSIM3的书。它详细处理了数字、模拟和 RF 电路设计中使用的 BSIM3 模型。它涵盖了完整的模型集，即I-V模型，电容模型，噪声模型，寄生效应模型，基板电流模型，温度效应模型和非准静态模型。
MOSFET 建模和 BSIM3 用户指南不仅解决了器件建模问题，还为在数字/模拟电路设计、RF 建模、统计建模和技术预测中使用 BSIM3 模型的器件或电路设计工程师提供了用户指南。
本书是为电路设计人员和器件工程师以及全球器件科学家编写的。它也适用于电路设计或器件建模的研究生课程和课程。此外，它还可以用作 BSIM3 行业课程的教科书。
MOSFET Modeling & BSIM3 User's Guide 全面而实用。它在背景信息和 BSIM3 的高级讨论之间取得了平衡。这对专家和学生都有帮助。