《高介电常数材料：VLSI MOSFET中的应用（High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications ）》
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日期：2021-09-16
出版：
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作品总结
《高介电常数材料：VLSI MOSFET中的应用（High Dielectric Constant Materials: VLSI MOSFET Applications ）》
与高K栅介质相关的问题是不断发展的半导体国际技术路线图（ITR）面临的最大挑战之一。本书不仅仅是一个历史概述，还将评估与栅极电介质缩放相关的先前和当前方法及其影响，以及定义栅极电介质缩放技术未来的创新方向和即将到来的挑战。
主题包括：对摩尔定律的广泛回顾，SiO 2栅介质的经典制度；向氮化硅栅介质的过渡；向高K栅介质的过渡(包括在单位数字纳米范围内实现等效氧化物厚度的驱动)；以及最终技术生成尺度的未来方向和问题。作者团队的远见、智慧和经验将使这本书成为一本及时的、相关的、有趣的、聚焦于45 nm技术世代及以后的基础知识的资源。
目录：
摩尔定律的经济含义.第1-30页
MOS器件栅介质的发展简论.第33-44页
SiO 2基MOSFET：薄膜生长和Si-SiO 2界面特性.第45-90页
氧化物可靠性问题.第91-120页
栅介电定标至2.0-1.0nm：SiO 2和氮化硅.第123-142页
最佳缩放方法和晶体管性能.第143-194页
硅氮化硅栅介质，用于降低栅漏和硼渗透，在高k栅介质实现之前.第195-220页
硅基晶体管的替代介质：通过多种标准进行选择.第223-251页
高k栅介质选择和集成的材料问题.页253-286
设计高介电常数栅栈的界面组成和结构.页287-310
可供选择的高k电介质的电子结构.第311页-357页
硅中选定的4d、5d和稀土金属的物理化学性质.页359-378页
高k栅介质沉积技术.页379-413
批量CMOS器件金属栅电极选择中的问题.第415-434页
高k栅介质和交替电极材料的CMOS集成电路制作问题.第435-481页
介电常数栅介电薄膜的表征和计量.第483-520页
备用闸门堆叠系统电气测量问题.第521-566页
高k栅介质材料集成电路器件设计问题.页567-604
高k晶栅介质：研究前景.第607-637页
高k晶栅介质：集成电路制造商的前景.第639-666页
先进MOS-器件.页667-705
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