《碳化硅功率材料：器件和应用（SiC Power Materials: Devices and Applications）》

在20世纪50年代，肖克利预测SiC将因其优越的材料特性而迅速取代Si。在许多方面，他是对的，今天有一个基于SiC的活跃行业，每年都有新的成就被报道。本书回顾了SiC研发取得的进展，特别是过去10年的进展。它展示了3C-，6H-和4H-SiC多型的基本性质，包括结构，电，光学，表面和界面性质;介绍了现有的关键SiC器件以及21世纪材料增长和器件制造的挑战。总体而言，它提供了一本最新的参考书，适合工业研发领域的新移民，研究生和工程师的广泛受众。

散装碳化硅的材料科学与工程....第1-61页

SiC的基本性质：晶体结构，键合能，能带结构和晶格振动。第63-87页 

SiC单晶的升华生长.第89-121页 

碳化硅的晶体生长：评估和建模....第123-160页

 3C-SiC的缺陷和热性质的晶格动力学.第161-208页 

通过化学气相沉积对生长在Si上的立方SiC进行光学和跨学科分析。页 209-276
SiC 的电子顺磁共振表征.第277-302页 

SiC上欧姆接触形成的材料选择和界面反应。第 303-343页

 氧化、MOS 电容器和 MOSFET.第 345-373页 

用于极端环境应用的 4H-SiC 电源开关器件.第375-409页