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日期:2023-03-21
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本书回顾了SiC研发取得的进展,特别是过去10年的进展。它介绍了3C-,6H-和4H-SiC多型的基本特性,包括结构,电气,光学,表面和界面特性;本书还描述了现有的关键SiC器件以及21世纪材料增长和器件制造方面的挑战。
在1950年代,肖克利预测SiC由于其优越的材料性能而迅速取代Si。在很多方面,他是对的,今天有一个基于SiC的活跃行业,每年都有新的成就被报告。总体而言,本书提供了一本最新的参考书,适合工业研发领域的新人,研究生和工程师的广泛受众。
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