《gm/ID方法，低压模拟CMOS电路的尺寸工具：半经验和紧凑模型方法（The gm /I D Methodology, A Sizing Tool for Low-voltage Analog CMOS Circuits: The semi-empirical and compact model approaches）》

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日期：2021-10-13

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《gm/ID方法，低压模拟CMOS电路的尺寸工具：半经验和紧凑模型方法（The gm /I D Methodology, A Sizing Tool for Low-voltage Analog CMOS Circuits: The semi-empirical and compact model approaches）》

模拟IC设计人员评估当前MOS晶体管的几何结构和电流，以对增益带宽、转换率、动态范围、噪声、非线性失真等设计目标进行折衷。做出最佳选择是一项困难的任务。例如，如何在保持增益带宽不受影响的同时，最大限度地降低运算放大器的功耗，而不会对面积造成太大的损失？中度反转产生高增益，但伴随的面积增加而增加了限制带宽的寄生参数的影响。为了达成最佳折衷，应使用哪种方法？采用的综合法是一个设计经验与切割和尝试相结合的混合处理方法，还是一个受约束的多元优化问题，当然，从系统的角度来看，优化算法是很有吸引力的，但是对于需要更多物理方法的低压低功耗电路呢？晶体管物理和电路之间的连接是复杂的工程问题，它们之间的相互作用并不总是很容易用现有的软件包来描述的。

gm/ID合成方法适用于CMOS模拟电路，因为跨导与过漏电流比结合了确定晶体管尺寸和直流电流所需的大部分部件的物理设计参数。

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