《高k栅极介电材料：先进金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的应用》

本卷书籍探讨并解决了高k栅极介电材料的挑战，这是不断发展的半导体行业和国际半导体技术路线图（ITRS）的主要关注点之一。高k栅极介电材料的应用是一种有望实现微电子元件进一步小型化的技术策略。

本书对SiO2材料进行了广泛的回顾，包括摩尔定律的简要历史笔记，然后是基于SiO2的MOS晶体管的可靠性问题。它继续讨论具有EOT ~ 1 nm的栅极电介质的转变以及一系列高k材料。本书还综述了不同高介值薄膜的各种沉积技术。本书还介绍了高k电介质理论（量子隧穿效应和界面工程理论）以及不同新型MOSFET结构（如隧穿FET）的应用。

本卷书籍还着眼于CMOS技术未来的重要问题，并分析了高k材料五氧化二钽的界面电荷密度。涵盖了使用高k栅极介电材料的CMOS VLSI技术问题，以及先进的MOSFET结构及其工作结构和建模。

这一及时的书籍将被证明是未来IC技术中高k介电材料的基本原理和成功集成的宝贵参考学习资源。