《碳化硅材料与器件手册》

本手册介绍了 21 世纪功率半导体碳化硅 （SiC） 的关键特性。它描述了相关技术，报告了近年来的快速发展和成就，并讨论了该领域仍然存在的挑战性问题。

本书由15章组成，从该领域权威W. J. Choyke教授的一章开始，分为四个部分。主题包括太阳前碳化硅的历史，气-液-固体生长，3C-SiC / Si的光谱研究，21世纪的发展和挑战;CVD原理和技术，4H-SiC的同质外延，在4H-SiC上生长的立方SiC，SiC热氧化过程和MOS界面，拉曼散射，近红外发光研究，穆勒矩阵椭圆偏振，拉曼显微镜和成像，4H-SiC紫外光电二极管，辐射探测器以及短波长和同步辐射X射线衍射。

这项全面的工作为21世纪的工程，材料和基础科学知识做出了巨大贡献，并将引起材料种植者，设计师，工程师，科学家，研究生和企业家的兴趣。