《纳米级CMOS模拟电路：用于高级设计的模型和CAD技术 （Nano-scale CMOS Analog Circuits: Models and CAD Techniques for High-Level Design）》
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日期：2021-10-19
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作品总结
《纳米级CMOS模拟电路：用于高级设计的模型和CAD技术（Nano-scale CMOS Analog Circuits: Models and CAD Techniques for High-Level Design）》
《纳米级CMOS模拟电路：用于高级设计的模型和CAD技术》
可靠性问题和工艺技术的局限性有时会限制设计纳米级模拟电路所涉及的创新过程。纳米级模拟电路设计的成功需要重复实验、正确分析器件物理、工艺技术以及充分利用知识数据库。
从基础知识开始，《纳米级CMOS模拟电路：高层设计的模型和CAD技术》介绍了设计具有最佳性能的模拟电路的基本概念。本书解释了缩放MOS晶体管的物理和技术与纳米级模拟电路的设计和模拟之间的联系。它还探讨了结构化计算机辅助设计（CAD）技术的发展，用于模拟电路的体系结构级和电路级设计。
该书概述了与设备几何结构、工艺参数和电源电压有关的技术扩展的一般趋势。它描述了模型和优化技术，以及用于VLSI电路仿真的缩放MOS晶体管的紧凑建模。
•包括两种基于学习的方法：人工神经网络（ANN）和最小二乘支持向量机（LS-SVM）方法
•提供案例研究，证明这两种方法的实际使用
•探索电路尺寸和规格转换任务
•介绍粒子群优化技术，并提供调整模拟电路大小的示例
•讨论缩放MOS晶体管的高级效应，如窄宽度效应、垂直和横向沟道工程
纳米级CMOS模拟电路：高级设计的模型和CAD技术描述了模型和CAD技术，探索了MOS晶体管的物理特性，并考虑了涉及工艺参数统计变化和与电路设计相关的可靠性约束的设计挑战。
关于本书的评论：
“…为了正确使用CAD工具，需要深入理解各种模型和方法，才能成功地完成当今的IC设计。[本书]主要针对IC设计，特别是模拟设计。因此，这本书对于从事微电子的学生和实践工程师来说是一本非常有价值的书。”
Samar K.Saha博士，圣克拉拉大学兼职教授；IEEE电子设备协会出版物副总裁
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