《碳化硅技术基础：生长、表征、设备和应用（Fundamentals of Silicon Carbide Technology: Growth, Characterization, Devices, and Applications）》

本书对 SiC 功率半导体器件的全面介绍和最新参考，涵盖从材料特性到应用的主题； 

基于 20 世纪 80 年代和 90 年代 SiC 材料科学和制造技术的多项突破，首款 SiC 肖特基势垒二极管 (SBD) 于 2001 年作为商业产品发布。自那时起，SiC SBD 市场显著增长，SBD 现在用于各种电力系统，特别是开关模式电源和电机控制。 SiC 功率 MOSFET 于 2011 年进入商业化生产，为高频电源系统提供坚固、高效的开关。 在这本内容广泛的书中，作者利用他们丰富的经验，介绍了碳化硅材料、器件和应用，并为在这个快速发展的领域工作的科学家和工程师提供了深入的参考。 碳化硅技术基础知识涵盖碳化硅材料的基本特性、加工技术、实际器件的理论和分析，以及最重要的系统应用的概述。 具体包括：

• ·对 SiC 材料特性、块状晶体生长、外延生长、器件制造技术和表征技术的完整讨论。
• 肖特基二极管、pin 二极管、JBS/MPS 二极管、JFET、MOSFET、BJT、IGBT 和晶闸管的器件物理和工作方程。
• ·电力电子应用调查，包括开关模式电源、电机驱动器、电动汽车电源转换器和可再生能源转换器。
• ·覆盖特殊应用，包括微波设备、高温电子设备和坚固的传感器。
• ·本书由在 SiC 研究和开发领域拥有超过 45 年综合经验的知名专家撰写，图文并茂。

本书面向晶体生长、材料科学和半导体器件技术领域的研究生和研究人员。 本书对于电源、转换器和逆变器设计、电动汽车技术、高温电子、传感器和智能电网技术等领域的设计工程师、应用工程师和产品经理也很有用。