《碳化硅上的外延石墨烯：建模、表征和应用（Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modeling, Characterization, and Applications）》
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日期：2021-12-15
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作品总结
《碳化硅上的外延石墨烯：建模、表征和应用（Epitaxial Graphene on Silicon Carbide: Modeling, Characterization, and Applications）》
《碳化硅上的外延石墨烯：建模、表征和应用》这是第一本专门介绍碳化硅上外延石墨烯 (EG-SiC) 的书。它使用量子霍尔效应研究和探针技术，如扫描隧道显微镜和基于透射电子显微镜的原子分辨率成像，全面解决了与 EG 材料及其应用的研究和技术开发相关的所有基本方面知识。它展示了 EG-SiC 合成的最新技术，并大量将其解释为 SiC 衬底特性的函数，例如多型、极性和晶片切割以及原位和非原位调节技术，包括 H2 pre-沉积退火和化学机械抛光。它还描述了生长研究，包括最流行的表征技术，如超高真空、分压或石墨帽升华技术，用于高质量的受控沉积。
本书包括有关合成和表征技术以及器件制造工艺和性能的相关示例，并通过理论建模和仿真研究对其进行补充，这有助于基本理解 EG-SiC 衬底及其在电子应用中的潜在用途。它使用量子霍尔效应研究和探针技术（如扫描隧道显微镜或基于透射电子显微镜的原子分辨率成像）解决了 EG-SiC 的基本方面。它包括几个章节，介绍欧洲和亚洲物理学、电子工程、材料科学和纳米技术专家的当前艺术水平的评论和愿景。
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