作品总结
《先进的功率 MOSFET 概念》
在过去的十年中，人们提出了许多用于提高功率 MOSFET 性能的新概念。这项研究的结果分散在期刊文章和会议摘要中的技术文献中。因此，功率器件社区的研究人员和实践工程师不容易获得这些信息。没有对这些想法进行统一处理来评估这些想法的相对优点。
“先进的功率 MOSFET 概念”深入探讨了高级功率 MOSFET 的操作物理原理。将开发用于解释所有先进功率 MOSFET 操作的分析模型。将提供数值模拟的结果，以进一步了解设备物理并验证分析模型。将提供二维模拟的结果以证实分析模型并更深入地了解设备操作。
客服咨询
400 093 7005
周一至周日：09:00AM-21:00PM
微信扫码关注
小程序扫码注册
0条评论