《深尺度 CMOS 中的 5G 和 E-Band 通信电路》
作品总结
《深尺度 CMOS 中的 5G 和 E-Band 通信电路》
《深尺度 CMOS 中的 5G 和 E-Band 通信电路》,本书讨论了目前限制在深尺度 CMOS 中实现的 5G 和 E-Band 收发器性能的几个关键模拟构建块的设计技术、布局细节和测量。 作者介绍了低噪声正交 VCO 和可调谐无电感分频器的最新进展。 此外,还详细讨论了实现级间匹配、功率分配/合并和阻抗变换的低损耗宽带变压器滤波器的设计。 显示了利用所提出的技术的低噪声放大器、下变频器和高线性功率放大器的设计和测量。 所有原型均采用先进的纳米级 CMOS 技术实现,没有 RF 厚金属选项。
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