作品总结
《III-V 化合物半导体：与硅基微电子集成》
《III-V 化合物半导体：与硅基微电子集成》，硅基微电子器件在各种性能成本比指标上稳步提高。但经过数十年的处理器扩展，出现了基本限制和相当大的新挑战。化合物半导体的集成是解决其中许多问题并继续不懈追求更强大、更具成本效益的处理器的主要候选者。
III-V 族化合物半导体：与硅基微电子集成涵盖了该领域的最新进展，解决了半导体行业发生的两大革命：将化合物半导体集成到硅微电子中，以及它们在大面积硅衬底上的制造。作者介绍了硅微电子中 GaN、GaAs 和 III-V 化合物半导体器件的科学技术探索，为帮助读者处理相关设计和应用问题奠定了基础。
探索在尖端 DARPA 计划中开发的基于硅的 CMOS 应用
本书概述了系统、设备及其组件材料：
描述 III-V 和 Si 材料的结构、相图和物理和化学特性，以及集成挑战
专注于 GaN 的主要优点，包括其在新型功率二极管和晶体管商业化方面的重要性
分析更传统的 III-V 材料，讨论它们在与 Si 微电子器件集成方面的优缺点
阐明 III-V 半导体的特性并描述评估和表征其属性的方法
介绍用于测量和评估材料质量和设备特性的新技术
研究最先进的光学器件、LED、Si 光子学、高速、高功率 III-V 材料和器件、III-V 太阳能电池器件等
汇集知名专家的工作成果，为从事硅和化合物半导体技术交叉领域工作的科学家和工程师提供参考。它的全面覆盖对于这个新兴领域的学生和专家都很有价值。
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