本白皮书概述了与开发 5G 硬件相关的关键技术、挑战和架构解决方案。通过本白皮书您将学习如何在先进工艺节点中利用 Omni Design 高性能 ADC、DAC 和子系统来构建您的 5G SoC。

本系列的第 6 部分重点介绍驱动 SiC MOSFET 所需的栅极驱动电路。本文基于使用 onsemi 的新型 SiC 模块构建 25 kW 快速电动汽车充电器时获得的经验教训。本部分介绍如何在高功率应用中设计和调整耦合栅极驱动器和 SiC MOSFET 的组合。

在本系列的前几部分中，作者从硬件角度广泛描述了 25 kW EV 充电器的开发。第 5 部分探讨了此类系统的控制策略和算法的实现。它提供了有关工程团队采用的控制硬件和软件开发方法的第一手详细信息，这有助于加快固件开发和验证过程。

在本系列的第 4 部分中，焦点是 DC-DC 双有源桥相移 (DAB-PS) 零电压开关 (ZVS) 转换器。在此，作者介绍了 dc-dc 级的一些设计过程。他们特别解释了开发此类转换器的关键设计考虑因素和权衡，尤其是围绕磁性组件的定义，并讨论了电源模拟和设计决策。

这份 26 页的第 3 部分介绍了快速 EV 充电器的交流-直流转换级（也称为 PFC 级）的仿真模拟，讨论了模拟目标、模型的选择方式、选择的操作和组件参数以及从此处提供的模拟结果。这些仿真是使用 Simetrix 执行的，Simetrix 是一种混合模式电路仿真器，可提供增强的 SPICE 以实现快速收敛。

在第 2 部分中，我们将仔细研究设计的核心并揭示更多细节。特别是，我们将回顾可能的拓扑结构，讨论它们各自的优势和设计权衡，并了解系统的主干，其中包括一个半桥 SiC MOSFET 模块。

快速直流充电市场正在蓬勃发展。随着电动汽车 (EV) 的加速普及，对快速充电基础设施的需求也在增加。未来五年的增长预测范围为 20% 至 30% 的复合年增长率。如果您是电力电子领域的应用、产品或设计工程师，您迟早会参与到这样一种新型充电系统的设计中来。

本文旨在帮助您了解Wi-Fi标准的基础知识，并提供Wi-Fi技术的发展和概述。

Wireless InSite 的通信系统分析器是一组基于 X3D 模型的高保真 MIMO 计算构建的后处理例程，用于预测系统吞吐量和误码率。

射频功率放大器市场预计在未来五年将大幅增长，主要是由于5G的推出，这在很大程度上取决于基站中的新功率放大器组件。从2020年到20251年，通用射频功率放大器市场的预计复合年增长率为5-6%。这一预期需求转化为射频功率放大器制造商增加其产量的后续必要性