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本文提出了一种用于互补金属氧化物半导体包络跟踪功率放大器 (PA) 集成电路的双模式电源调制器。所提出的电源调制器基于混合降压转换器(Buck Converter),具有双 AB 类缓冲器和分别用于线性和开关放大器的双开关。
本文研究了可重构 AB 类功率放大器在宽带步进包络跟踪 (SET) 架构中的使用。 实验结果与集成了动态开关能力的 SiGe-HBT 功率器件原型有关。
在这篇文章中提出了一种将谐波阻抗调谐用于包络跟踪 (ET) 功率放大器 (PA) 的设计方法。 由于谐波调谐的辅助,PA效率可以明显提高。
在这项工作中,我们分析了用于包络跟踪技术的电源调制器的传导和开关损耗。 特别是,计算电源调制器 D 类链中的传导和开关损耗以提高电源调制器的效率。
本文提出了一种提高两级包络跟踪 (ET) 功率放大器 (PA) 整体效率的新技术。由于大量的增益压缩,ET 放大器可能会受到低效驱动级的影响。通过降低驱动放大器的电源电压,可以在不降低整个 PA 系统线性性能的情况下提高其效率,因为末级 ET PA 允许将去峰值的 RF 信号作为输入。
该系统不是根据给定的参考信号调节电源调制器的输出,而是利用前瞻窗口并为电源调制器合成脉冲,使其输出跟踪由功率放大器放大的射频信号的包络,同时最小化 它的开关率(switch rate)的要求。
在本文中,具有开关电容器电路和低压差 (LDO) 稳压器的开关电容器升压 (SCB) 模式包络跟踪 (ET) 技术用于替代传统的包络跟踪稳压器。
本文介绍了一种 20 MHz 带宽、92% 效率的混合包络跟踪调制器,该调制器具有 3 级迟滞控制降压转换器,并与用于LTE 应用的 AB 类线性放大器并行合路。与三电平PWM控制相比,这种控制方式具有快速的环路响应和效率的提高。
尽管用于 DC-DC 转换器的更快开关功率器件能够提高开关频率和减小尺寸,但开关转换期间出现的较高开关电压和电流压摆率通常会加剧 EMI。尽管 EMI 滤波器不可避免地是解决方案的一部分,但它们会增加尺寸和重量。
对于半导体元件生产过程中的选择性等离子体表面处理,来自 Steinhagen 的技术领先公司 Plasmatreat GmbH 提供了根据客户要求设置的全自动在线系统。